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        1. 歡迎來(lai)到上海(hai)天臯(gao)電氣有(you)限公(gong)司(si)網站(zhan)!
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          抗幹(gan)擾(rao)介損(sun)自(zi)動測(ce)試儀

          簡要描述:全(quan)自(zi)動抗(kang)幹(gan)擾介質損(sun)耗(hao)測試儀是壹(yi)種(zhong)*的(de)測(ce)量(liang)介質損(sun)耗(hao)(tgδ)和(he)電容容量(liang)(Cx)的(de)儀器,用於(yu)工(gong)頻高壓下(xia),測(ce)量(liang)各種(zhong)絕緣(yuan)材料(liao)、絕緣套(tao)管(guan)、電力(li)電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(she)備(bei)的(de)介質損(sun)耗(hao),(tgδ)和(he)電容容量(liang)(Cx)它(ta)淘汰了 QS 高壓電

          • 產(chan)品(pin)型號(hao):
          • 廠(chang)商性(xing)質:生產(chan)廠(chang)家(jia)
          • 更新時間:2024-08-08
          • 訪(fang)  問  量(liang): 1293

          詳(xiang)細介紹(shao)

          全(quan)自動抗(kang)幹(gan)擾介質損(sun)耗(hao)測試儀是壹(yi)種(zhong)*的(de)測(ce)量(liang)介質損(sun)耗(hao)(tgδ)和(he)電容容量(liang)(Cx)的(de)儀器,用於(yu)工(gong)頻高壓下(xia),測(ce)量(liang)各種(zhong)絕緣(yuan)材料(liao)、絕緣套(tao)管(guan)、電力(li)電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(she)備(bei)的(de)介質損(sun)耗(hao),(tgδ)和(he)電容容量(liang)(Cx)它(ta)淘汰了 QS 高壓電橋,具(ju)有操(cao)作簡單(dan)、中(zhong)文顯示、打印、使用方(fang)便(bian)、無(wu)需(xu)換(huan)算(suan)、自(zi)帶(dai)高壓、抗(kang)幹(gan)擾(rao)能(neng)力(li)強(qiang)、測(ce)試時間(在(zai)國(guo)內(nei)同(tong)類(lei)產(chan)品(pin)中(zhong)速度zui快)等(deng)特點(dian)。體(ti)積小、重量(liang)輕是我公(gong)司(si)的(de)第二代(dai)抗幹(gan)擾(rao)介質損(sun)耗(hao)測試儀。


          全自(zi)動抗(kang)幹(gan)擾介質損(sun)耗(hao)測試儀主要技術(shu)指標(biao)
                1、環(huan)境溫度:0 ~ 40℃(液(ye)晶屏應(ying)避免(mian)長時日(ri)照)        
                2、相對(dui)濕度:30% ~ 70%
                3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率(lv):50±1Hz
                4、外形(xing)尺(chi)寸(cun):長×寬(kuan)×高   500mm×300mm×400mm
                5、重量(liang):    約18Kg          
                6、輸出功率(lv):0.6KVA
                7、顯示分(fen)辯(bian)率(lv):3位、4位(wei)(內(nei)部全(quan)是6位)
                8、測量(liang)範(fan)圍及(ji)輸出電壓選(xuan)擇:
                           介質損(sun)耗(hao)(tgδ):±0.00~±999%
                           試品電容容量(liang)(Cx)和(he)加載電壓:
                           2.5KV檔(dang):≤300nF(300000pF)            3KV檔:≤200nF(200000pF)
                           5KV檔:≤76nF(76000pF)                7.5KV檔(dang):≤34nF(34000pF)
                           10KV檔:≤20nF(20000pF)
                9、基(ji)本(ben)測量(liang)誤(wu)差:
                           介質損(sun)耗(hao)(tgδ):1%±7個字(加(jia)載電流20uA~500mA)
                           介質損(sun)耗(hao)(tgδ):2%±9個字(加(jia)載電流5uA~20uA)
                           電容容量(liang)(Cx):1.5%±1.5pF

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