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          淺談高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)的(de)使(shi)用優(you)點(dian)

          更新(xin)時間:2015-11-30  |  點(dian)擊率:1820

          淺(qian)談(tan)高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)的(de)使(shi)用優(you)點(dian)

              高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)采(cai)用了(le)高(gao)頻(pin)倍壓電路,應用(yong)了(le)的(de)PWM高(gao)頻(pin)脈寬調(tiao)制工(gong)藝,閉(bi)環(huan)調(tiao)整(zheng),采(cai)用(yong)了(le)電壓大(da)反(fan)饋,使(shi)電壓穩固度(du)大(da)幅(fu)度(du)提(ti)高(gao)。使(shi)用性(xing)能(neng)的(de)大(da)功(gong)率IGBT器件及(ji)其驅(qu)動(dong)工(gong)藝,並根(gen)據(ju)電磁(ci)兼(jian)容性理(li)論(lun),采用(yong)特(te)殊屏蔽、隔(ge)離和接地(di)等措施。使(shi)直流高(gao)壓發生器(qi)實(shi)現(xian)了(le)高(gao)品(pin)質(zhi)、便(bian)攜(xie)式(shi),並(bing)能(neng)承受(shou)額定(ding)電壓放電而不損壞。適(shi)用於(yu)電力(li)部(bu)門(men)、廠礦企業(ye)動(dong)力(li)部(bu)門(men)、科研單(dan)位、鐵(tie)路(lu)、化工、發電廠等對氧(yang)化鋅避(bi)雷(lei)器、磁(ci)吹(chui)避(bi)雷(lei)器、電(dian)力(li)電(dian)纜(lan)、發電機(ji)、變壓器、開(kai)關(guan)等設備(bei)進行(xing)直流高(gao)壓試驗,是新(xin)世紀(ji)的(de)換代產(chan)品。
              高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)采(cai)用脈沖寬度(du)調(tiao)制(PWM)工(gong)藝、IGBT、以及先(xian)進的(de)電子線(xian)路及(ji)元件,具(ju)有(you)輸出(chu)不受(shou)電(dian)網(wang)波(bo)動(dong)幹(gan)擾,有(you)零位、過(guo)流、擊穿(chuan)、過(guo)壓等保護(hu)措施,無論(lun)過(guo)流、擊穿(chuan)、過(guo)壓保護(hu)電(dian)路都能(neng)迅(xun)速動(dong)作(zuo),有(you)效保障(zhang)設(she)備(bei)及人(ren)員安(an)全(quan)。其輸出(chu)采(cai)用(yong)液(ye)晶顯(xian)示,體(ti)積(ji)及重(zhong)量比(bi)原KGF型(xing)要輕(qing)便(bian)的(de)多,非(fei)常適合(he)現(xian)場使(shi)用。全(quan)新設計(ji)的(de)“0.75U”液晶顯(xian)示器(qi)可(ke)直接顯(xian)示並(bing)鎖存0.75U1mA現(xian)場試驗(yan)不需人工計(ji)算。
              1、 高(gao)頻(pin) 直流高(gao)壓發生器(qi) 儀(yi)器(qi)主要部(bu)件選(xuan)用(yong)美(mei)國、德(de)國、日(ri)本等國先(xian)進工藝(yi)的(de)元器(qi)件(jian)。 
              2、 使(shi)儀(yi)器(qi)更可(ke)靠、更穩固,倍壓筒體用(yong)德(de)國工藝(yi)研(yan)制(zhi)生(sheng)產(chan),高(gao)頻(pin)變壓器經有(you)關專家(jia)特(te)殊設(she)計(ji)、體積(ji)小,容量大(da),過(guo)載(zai)能(neng)力(li)強(qiang)。 
              3、 便(bian)於(yu)現(xian)場作業(ye)試驗(yan) KDZG 系列高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)采(cai)用高(gao)頻(pin)倍壓電路。 
              4、 應用(yong)的(de) PWM 高(gao)頻(pin)脈寬調(tiao)制工(gong)藝,閉(bi)環(huan)調(tiao)整(zheng),采(cai)用(yong)了(le)電壓大(da)反(fan)饋,使(shi)電壓穩固度(du)大(da)幅(fu)度(du)提(ti)高(gao)。 
              5、 使(shi)用性(xing)能(neng)的(de)大(da)功(gong)率 IGBT 器件及(ji)其驅(qu)動(dong)工(gong)藝,並根(gen)據(ju)電磁(ci)兼(jian)容性理(li)論(lun),采用(yong)特(te)殊屏蔽、隔(ge)離和接地(di)等措施。 
              6、 使(shi)直流高(gao)壓發生器(qi)實(shi)現(xian)了(le)高(gao)品(pin)質(zhi)、便(bian)攜(xie)式(shi),並(bing)能(neng)承受(shou)額定(ding)電壓放電而不損壞。 
              高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)又(you)稱高(gao)壓發生器(qi)、中(zhong)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)、高(gao)壓直流發生器(qi)、直流高(gao)壓發生器(qi)、直流發生器(qi)、便(bian)攜(xie)式(shi)直流高(gao)壓發生器(qi)、高(gao)頻(pin)直流高(gao)壓發生器(qi)、交(jiao)直流高(gao)壓發生器(qi)。

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